IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors, transistor lưỡng cực cổng cách ly) là linh kiện bán dẫn công suất kết hợp ưu điểm điều khiển bằng điện áp của MOSFET và khả năng chịu dòng lớn của BJT, chuyên dùng cho đóng cắt điện áp cao và điều khiển năng lượng công suất lớn. IGBT có đặc tính tổn hao dẫn thấp, chịu điện áp cao (thường 600V–1700V+), dòng lớn và hoạt động ổn định trong mạch chuyển mạch PWM.
IGBT thường được tích hợp trong module công suất hoặc transistor rời, dùng trong các hệ thống biến tần (VFD), inverter năng lượng mặt trời, UPS, bộ nguồn công nghiệp, driver động cơ AC/servo và thiết bị gia nhiệt cảm ứng.
Ứng dụng: điều khiển motor công nghiệp, biến tần, máy hàn điện, xe điện, bộ sạc công suất lớn, hệ thống năng lượng tái tạo và điện tử công suất.